Квантовая магия - Доронин Сергей Иванович. Страница 56
Сотрудники Университета
Рочестера
(США) продемонстрировали простой экспериментальный метод создания запутанных кубитов. Используя поперечный импульс и запутанность положения фотонов, испускаемых в процессе спонтанного параметрического преобразования (частоты) вниз (SPDC — spontaneous parametric down-conversion) [116], авторы получили запутанность между дискретными областями пространства, то есть пикселями. Каждый фотон отображался на 6 пикселей — каждый пиксель представлял один уровень состояния кубита. Этот метод легко обобщить для создания запутанных состояний более высокой размерности. Таким образом, возможна реализация процесса квантовой обработки информации в системах произвольно высокой размерности.
В этом эксперименте ультрафиолетовый лазерный луч направлялся на кристалл с нелинейными оптическими свойствами (
β
-борат бария), который спонтанно расщепляет ультрафиолетовый фотон на пару запутанных инфракрасных фотонов.Рочестерская
команда фактически запутывает импульсы фотонов, это означает, что их положения в реальном месте (координаты), как показывает детектор, также запутаны.
Эти исследования демонстрируют, что фотоны могут занять любой из шести импульсов или пикселей (положений состояния). Хотя запутанные кубиты к настоящему времени получают самыми различными способами, авторы утверждают, что их метод привлекателен из-за сравнительной простоты в реализации. Как сказал руководитель группы сотрудникам редакции «
PhysicsWeb
» [117]: «Мы работаем с простой, имеющейся в наличии оптикой, без потребности в голограммах или интерференционной стабильности, как в предыдущих экспериментах». Теперь команда планирует продемонстрировать запутанность пикселей в квантово-криптографических системах. «Мы также хотели бы использовать наши идеи, чтобы создатьвысокоразмерные
запутанные состояния, используя другие переменные, типа энергии и времени», — добавляет
О
’Салливан-Хэйл
.
Лабораторные эксперименты в области
квантового
компьютинга
все ближе подходят к реальным технологиям. Группа исследователей компании Хитачи, работающая в Кембриджском университете в Великобритании, в августе 2005 года сообщила [118]о разработке кремниевогокубитного
чипа — первом шаге в развитии квантового компьютера, основанного на обычной кремниевой технологии.
Ранее кубиты уже создавались на основе арсенида галлия, но время декогеренции, в течение которого сохраняется когерентность состояния кубита, было очень малым. Ученые компании Хитачи продемонстрировали, что изолированная двойная квантовая точка (
наноскопическая
пространственная неоднородность), созданная на кремниевом кристалле, проявляет себя каккубит
со временем декогеренции, в 100 раз большим, чем предыдущая реализация в арсениде галлия. Методика создания квантовых точек уже отработана и может быть использована в стандартныхКМОП-процессах
(CMOS,complimentary
metal
oxide
semiconductor
— полупроводниковая технология, применяемая при изготовлении всех логических микросхем, включая микропроцессоры ичипсеты
). Одного лишь создания кубита для построения квантового компьютера недостаточно, и кембриджская команда Хитачи произвела все базовые операции: инициализации; манипуляции — с помощью электронныхгейтов
; измерения — с использованием одноэлектронных транзисторов.Предложенная схема обладает гибкостью, так как кубиты могут быть объединены в разнообразные двумерные цепи, как в обычных микропроцессорах.
Это дает возможность наращивать число кубитов до большой квантовой схемы, что необходимо для создания полноценного квантового компьютера.
В начале 2006 года ученые из Университета Мичигана (США) сообщили [119]о том, что для создания кубита им удалось воспользоваться технологией MEMS, которая сейчас все шире применяется в промышленном производстве.
Технология MEMS (
Micro-Electro-Mechanical-System
) позволяет формировать на поверхности подложкимикроэлектромеханические
структуры различного функционального назначения. По этой технологии изготавливаются интегральные акселерометры (датчики ускорения),микромоторы
, селективные фильтры для биотехнологий и модуляторы света.Микроэлектромеханические
системы создаются посредством комбинирования механических элементов, датчиков и электроники на общей кремниевой основе с использованием технологиймикропроизводства
. Все элементы могут быть реализованы в виде единого изделия — микросхемы на кремниевой пластине, причем выпускать их можно сразу десятками или сотнями. При этом в основе лежит уже апробированная традиционная технология производства полупроводниковых интегральных микросхем.
В MEMS используют обычно два различных вида
микрообработки
: объемную и поверхностную. Объемнаямикрообработка
включает технологию глубинного объемного травления. При использовании такого процесса объемная структура получается внутри подложки благодаря ее анизотропным свойствам, то есть различной скорости травления кристалла в зависимости от направления кристаллографических осей. Объемная структура может наращиваться, что и происходит, когда несколько подложек сплавляются и образуют вертикальные связи на атомарном уровне. При поверхностной микромеханической обработке трехмерная структура создается последовательным наложением основных тонких пленок и удалением вспомогательных слоев согласно требуемой топологии. Преимущество данной технологии заключается в возможности многократного удаления (растворения) вспомогательных слоев без повреждения взаимосвязей базовых слоев. Ее главная особенность в том, что она совместима с полупроводниковой технологией, поскольку длямикрообработки
используется обычныйКМОП-процесс
.
Так вот, ученые из Мичигана продемонстрировали, что ионные ловушки, которые сейчас широко используются в
квантовом
копьютинге
, можно создавать не вручную, а с использованием промышленной MEMS-технологии. Они создали ионную ловушку из четырех последовательных слоевалюмогаллиевого
арсенида на подложке из арсенида галлия, используя молекулярно-лучевую эпитаксию. Ученые проделали отверстие в чипе и сформировали ряд консольных электродов с помощью методов, обычно применяемых при изготовлениимикроэлектромеханических
систем (MEMS). Они установили чип в вакуумное гнездо и через отверстие ввели газ атомов кадмия, используя импульсный лазер. Тщательно регулируя такие параметры, как напряжение электрода и длина волны лазера, ученые смогли получить в ловушке единственный ион 111Cd
+и научились управлять его квантовым состоянием. Авторы сообщают, что такие ловушки обладают высокой надежностью и обеспечивают высокий уровень контроля и манипулирования отдельными состояниями. Как они пишут, метод «предоставляет беспрецедентный контроль на уровне единственного атома». В качестве примера практического примененияупоминаются
прежде всего крупномасштабные квантовые процессоры, поскольку с помощью этого метода можно изготавливать большое количество кубитов.
Таким образом, научные исследования в сфере разработки квантового процессора уже вплотную подошли к промышленным технологиям.
К числу интересных, но пока нереализованных идей можно отнести предложение применять для квантовых вычислений так называемые квантовые проволоки и новейшие достижения
спинтроники
. Еще несколько лет назад ученые из Кембриджского университета предложили использовать распространение электронных волн по квантовым нитям для проведения квантовых вычислений. Для создания кубита использовали управляемоетуннелирование
волн из одного канала в другой, а для организациидвухкубитных
операций — кулоновское взаимодействие электронов, находящихся в соседних каналах. Сейчас предлагается [120]распространить эту идею на спины, поскольку время декогеренции спиновых степеней свободы гораздо выше. За это время электрон пролетает большие расстояния, а значит, сама структура будет крупнее и, следовательно, проще в изготовлении. Для осуществления универсальных квантовыхгейтов
(логических операций) здесь можно использовать обменное и спин-орбитальное взаимодействие кубитов. Инициализация и измерение могут бытьвыполнены
любой спиновой инжекцией из/в ферромагнетиков (и) или с использованием спиновых фильтров имезоскопических
спин-поляризующих
светоделителей
.Авторы (A.
E.
Popescu
, R.Ionicioiu
) также оценивают пригодность различных материалов, используемых в настоящее время внанотехнологиях
, для физической реализации своей модели.